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詳細步驟如下：

對所述光刻膠進行曝光、顯影，形成光刻膠圖案。

采用電鑄工藝或物理氣相沉積工藝在所述金屬基板上于光刻膠圖案的直孔內沉積一層掩膜材料。

去除掩膜基板和光刻膠圖案，得到初始掩膜板; 所述初始掩膜板具有多個呈陣列式排布的、開口尺寸等于蒸鍍所需的設計開孔尺寸的直孔通孔、及位于每相鄰兩個直孔通孔之間的擋墻。

在初始掩膜板的上、下表面分別形成上光致刻蝕層圖案、下光致刻蝕層圖案; 所述上光致刻蝕層圖案完全覆蓋所述擋墻的上表面，所述下光致刻蝕層圖案僅覆蓋所述擋墻的下表面的中間部分。

采用化學刻蝕工藝對初始掩膜板的下表面及直孔通孔的內壁進行刻蝕，形成具有斜錐角的曲線形凹槽; 該曲線形凹槽的開口尺寸自下而上逐漸減小至蒸鍍所需的設計開孔尺寸。

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